[제20260821-TE-01호] 2026년 8월 21일 반도체 장비 관련 주요 뉴스 요약
- 이도윤
- 12시간 전
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중국이 만들었다는 반도체 노광장비, 어느 정도 수준이길래...
(2026년 8월 21일, 한국일보, 이윤주 기자)
[핵심 요약]
[1] 중국, 액침형 DUV 노광장비 자체 생산
미국의 반도체 장비 수출통제로 최첨단 EUV 확보가 어려워진 중국이 한 세대 전 기술인 액침형 DUV 노광장비의 자체 생산에 들어갔으며, 실제 양산이 가능한 수준에 도달할 경우 반도체 장비 자립에 중요한 전환점이 될 수 있음
[2] 액침형 DUV는 물을 이용해 해상도 향상
액침형 DUV는 렌즈와 웨이퍼 사이에 초순수를 채워 개구수를 높이는 방식으로 건식 DUV보다 미세한 회로를 구현할 수 있으며, ASML 장비는 해상도 38~40나노미터와 1나노미터 이하의 오버레이 성능을 확보
[3] 중국은 DUV 멀티패터닝으로 EUV 제약 보완
중국 파운드리 SMIC는 기존에 확보한 ASML 액침형 DUV에 멀티패터닝 기술을 적용해 EUV 없이 7나노급 공정을 구현했으며, 이를 통해 수출통제로 인한 첨단 노광장비 부족을 일부 보완
[4] 중국산 장비의 구체적인 성능은 아직 미공개
중국이 새로 생산에 들어간 액침형 DUV 장비의 세부 사양은 공개되지 않았으며 실제 기술 수준을 판단하려면 해상도와 오버레이뿐 아니라 시간당 웨이퍼 처리량, 수율, 장시간 가동 안정성까지 확인할 필요가 있음
[5] 실제 양산 기여는 2028년 이후 전망
중국의 올해 생산 목표는 5대, 내년 20대로 ASML의 연간 출하량과 비교하면 규모가 제한적이며 장비 설치와 고객사 인증, 수율 안정화 등을 고려하면 중국산 노광장비가 반도체 생산능력 확대에 의미 있게 기여하는 시점은 빨라도 2028년 이후로 전망됨

