[제20261005-TI-01호] 2026년 10월 5일 글로벌 반도체 산업 관련 주요 뉴스 요약
판 커지는 'AI 데이터센터'…삼성·SK·LG도 투자 확대 나서
(2026년 10월 5일, 뉴시스, 박나리 기자)
[핵심 요약]
[1] AI 데이터센터 시장, 전력·냉각·운영으로 확대
AI 데이터센터 시장이 반도체를 넘어 전력과 냉각, 건설·운영 영역까지 확대되면서 삼성·SK·LG가 기존 사업 역량을 데이터센터와 연결해 투자를 늘리고 있음
[2] 삼성, 미국 AI 인프라 기업에 10억달러 투자
삼성전자와 삼성물산·삼성SDS·삼성SDI·삼성생명·삼성화재 등 6개사가 미국 AI 인프라 기업 헬릭스 디지털 인프라스트럭처에 총 10억달러를 투자하며 반도체·냉각·건설·운영·배터리 역량을 연계할 계획임
[3] SK, 데이터센터 구축과 AI 생태계 투자 확대
SK는 AWS와 울산 AI 데이터센터를 건설하는 동시에 SK하이닉스가 미국 AI 기업에 투자하고 협업하는 AI 컴퍼니 설립을 추진하며 메모리 중심에서 AI 시스템 설계와 인프라 영역으로 협력을 확대하고 있음
[4] LG, 미국 칠러 공장 신설해 냉각사업 강화
LG전자가 미국 버지니아주에 AI 데이터센터용 칠러 공장을 신설하고 국내 생산라인도 증설하며 냉각설비 생산능력을 확대하고, LG에너지솔루션과 LG CNS의 배터리·설계·구축·운영 역량을 결합한 사업도 진행하고 있음
[5] 그룹별 핵심 역량 결합해 AI 인프라 공략
삼성은 반도체·냉각·건설·운영·배터리, SK는 데이터센터·메모리·AI 기술, LG는 냉각·배터리·데이터센터 구축·운영 역량을 결합하며 AI 데이터센터 시장의 전 영역으로 사업 범위를 넓히고 있음
"D램 이어 장비까지 중국산"…CXMT, 삼성·SK 추격에 ‘공급망 내재화’
(2026년 10월 5일, 디지털타임스, 이상현 기자)
[핵심 요약]
[1] CXMT, 349억위안 규모 증설 추진
CXMT가 총 349억위안 규모의 증설 프로젝트를 추진하며 신규 기술 연구개발에 241억위안, 웨이퍼 테스트 기지 2단계 사업에 108억위안을 투입하고 이 가운데 연구개발 예산의 약 93%인 224억위안을 장비 구매에 사용할 예정임
[2] 중국산 반도체 장비 비중 확대
CXMT가 증설 장비 물량의 상당 부분을 중국 장비업체에 배정할 계획이며 자국 장비업체와 핵심 생산공정 협력을 확대해 해외 장비 의존도를 낮추는 방향으로 공급망을 구축하고 있음
[3] 5세대 D램 양산으로 생산기술 고도화
CXMT가 5세대 D램 기술 플랫폼 양산에 들어가 데이터 저장 영역의 주요 구조 간격을 11.95나노미터까지 줄였고 4세대 플랫폼보다 웨이퍼 한 장에서 생산 가능한 총 다이 수를 최소 50% 늘렸다고 밝힘
[4] 24Gb LPDDR5X도 양산 시작
5세대 D램 플랫폼을 활용한 24Gb LPDDR5X 제품 2종을 공개하고 기존 동급 제품보다 저장 용량을 50% 높였으며 중국 반도체 장비업체들과 핵심 생산공정에서 공동 작업을 진행함
[5] D램 넘어 낸드까지 사업영역 확대
CXMT가 범용 D램 생산능력을 확대하는 동시에 베이징 신규 시설에 낸드플래시 연구개발·생산라인 구축도 추진하면서 삼성전자·SK하이닉스와의 경쟁 영역을 넓히고 있으며 중국산 장비의 기술 수준과 실제 생산성 확보 여부가 추격 속도를 좌우할 핵심 변수로 떠오름
美 규제 허점 틈타 액침 DUV 343대 비축…“中, 7나노 AI칩 생산기반 확보”
(2026년 10월 5일, 서울경제, 김창영 기자)
[핵심 요약]
[1] 중국, 액침 DUV 343대 확보
중국 본토 소유 반도체 공장들이 올해 초까지 총 343대의 액침 DUV 노광장비를 확보했으며 이 가운데 약 270대가 ASML의 ‘트윈스캔 NXT:1980i’ 모델임
[2] NXT:1980i 대량 도입으로 규제 공백 활용
중국은 2024년 NXT:1980i 90대, 2025년 89대를 추가 구매하는 데 130억달러 이상을 지출했으며 EUV와 달리 개별 승인을 통해 수출되던 구형 장비를 집중적으로 확보함
[3] 다중 패터닝으로 7나노급 AI칩 생산
중국은 NXT:1980i에 다중 패터닝 기술을 적용해 화웨이 ‘어센드’ AI 가속기와 첨단 메모리를 양산하고 있으며 액침 DUV가 7나노급 로직칩과 고급 메모리 제조에 활용되고 있음
[4] DUV 수출 전면 차단 여부가 생산능력 좌우
매년 NXT:1980i를 90대씩 확보할 경우 2035년 중국의 H100급 AI 반도체 생산량이 연간 4억3400만개까지 늘어날 수 있는 반면 2027년부터 신규 수입을 전면 차단하면 1억5300만개 수준으로 제한될 것으로 전망됨
[5] 중국, DUV 장비 자체 생산에도 착수
중국이 ASML 구형 장비를 확보하는 동시에 정부 지원을 바탕으로 자체 DUV 생산에도 착수하면서 미국의 수출통제가 EUV에서 DUV까지 확대될 가능성이 중국의 장비 국산화를 더욱 자극하는 상황임