[제20261018-TE-01호] 2026년 10월 18일 반도체 장비 관련 주요 뉴스 요약

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中 “국산 EUV 3년 내 양산”… 성공하면 파장 크지만 전문가들 여전히 신중

(2026년 10월 18일, 한국일보, 홍인택 기자)

원문보기: https://www.hankookilbo.com/news/article/A2026101614530003044?did=NA

[핵심 요약]

[1] 중국 업체, EUV 광원 시제품 공개

중국 장비업체 랑다오 사일렉스가 핵심 부품의 자체 개발과 국산화율 90%를 내세운 EUV 광원 시스템 시제품을 공개하고, 3~5년 내 양산을 목표로 제시함.

[2] EUV 상용화 성공 시 반도체 경쟁구도 변화 가능성

중국이 EUV 노광장비 상용화에 성공하면 미국의 대중국 장비 수출 규제를 극복하고 첨단 파운드리와 메모리 시장에서 경쟁력을 높여 한국 반도체 기업에도 영향을 줄 수 있음.

[3] ASML과 국내 전문가들은 상용화 전망에 신중

ASML의 크리스토프 푸케 CEO는 중국이 경쟁 장비를 확보하기까지 갈 길이 멀다고 평가했으며, 국내 전문가들도 수십 년간 축적된 EUV 핵심 기술을 수년 만에 따라잡기는 어렵다는 입장을 보임.

[4] EUV 광원 출력에서 기술격차 확인 상용

EUV 장비는 600W 이상의 광원 출력이 필요한 반면, 랑다오 사일렉스가 공개한 시스템의 EUV 출력은 15W급에 그쳐 실제 반도체 양산에 활용하기까지 성능 개선이 필요한 상황임.

[5] 초정밀 EUV 반사 거울 확보도 핵심 과제

파장 13.5㎚의 EUV를 반사하려면 실리콘과 몰리브덴을 최대 100층으로 정밀하게 쌓은 거울이 필요하며, 이를 제작할 수 있는 독일 자이스의 광학 기술 역시 중국이 넘어야 할 주요 장벽임.