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[제20261108-TE-01호] 2026년 11월 8일 반도체 장비 관련 주요 뉴스 요약

이도윤
10분 전
1분 분량

"ASML EUV 공급 모자란다"… 삼성전자·SK하이닉스 장비 확보 경쟁

(2026년 11월 8일, 조선비즈, 황민규 기자)


[핵심 요약]


[1] 삼성전자·SK하이닉스, EUV 장비 확보 경쟁

양사는 첨단 D램 생산능력 확대를 위해 각각 10조~20조원 규모의 EUV 장비 투자를 진행하고 있으며, 2027년부터 순차적으로 장비를 인도받을 예정.


[2] ASML, 2027~2028년 EUV 장비 공급 부족 전망

ASML은 해당 기간 고객사의 장비 수요를 충족하기 어렵다고 밝혔으며, 장비 납기가 기존보다 최대 2배 길어지면서 삼성전자와 SK하이닉스의 선제적인 발주 경쟁이 심화.


[3] 차세대 D램 미세화에 EUV 적용 확대

10나노급 6세대(1c) D램은 미세 회로 구현을 위해 EUV 적용 공정이 늘어나고 있으며, SK하이닉스는 이전 세대보다 2개 층 많은 5개 층 이상에 EUV를 적용할 계획.


[4] 하이 NA EUV 도입으로 차세대 생산 경쟁 준비

SK하이닉스는 지난해 9월 하이 NA EUV 양산용 장비를 업계 최초로 반입했으며, 삼성전자도 2028년까지 하이 NA EUV를 D램 양산에 도입할 계획.


[5] 후공정 장비업체도 2~3년치 수주 확보

AI 데이터센터용 반도체의 고성능·고용량화로 첨단 패키징 수요가 증가하면서 한미반도체와 엠코 등 후공정 장비업체들도 TC 본더를 비롯한 주요 장비의 생산능력 확대에 나서는 상황.

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