시지트로닉스, GaN 기반 S밴드 RF 전력반도체 상용화 성공 (2025년 12월 8일, 뉴시스, 김경택 기자) 원문보기: https://www.newsis.com/view/NISX20251208_0003431808 [핵심 요약] [1] ETRI 기술 이전 기반 전 공정 국산화 시지트로닉스 질화갈륨(GaN) 기반 S밴드(2~4GHz) RF 전력반도체 라인업 상용화, ETRI 원천기술 이전 받아 설계·제조·측정까지 100% 국내 기술로 구현해 화합물 반도체 기술 자립 이정표 확보.​ [2] 10~150W급 라인업·프론트엔드 솔루션 확보 10W·30W·50W·150W급 제품 구성으로 군용 S밴드 레이더·전자전·재밍·항공·지상 통신·시험장비 등 고출력 RF 시스템 적용, 150W 출력 트랜지스터와 10~50W 드라이버를 동시에 공급하는 일관 설계 프론트엔드 솔루션 제공.​ [3] 글로벌 드라이버 공급난 해소 기대 광대역·고출력·고선형성 핵심

AI 시대, 저장장치 병목 심화… 파두, 차세대 SSD로 해법 제시 (2025년 12월 4일, 조선비즈, 최효정 기자) 원문보기: https://biz.chosun.com/it-science/ict/2025/12/04/VDQJREIFMBHPRH6IY4BBG6KTCA/ [핵심 요약] [1] AI 데이터 폭증으로 SSD 병목 심화 AI 모델 복잡화로 GPU·HBM 속도 충분하나 SSD·네트워크 따라가지 못해 시스템 전체 병목 발생, 검색 생성 AI·벡터DB 서비스에서 SSD 랜덤 데이터 읽기 속도(QoS·IOPS)가 AI 품질 좌우.​ [2] 하드웨어 특화 SSD로 전력·성능 최적화 파두 소프트웨어 중심에서 핵심 연산 하드웨어 구현으로 전환, 제한 전력(23~24W) 내 최대 IOPS·QoS 끌어올리는 구조 개발, Gen6 SSD 성능 2배 향상·전력 절감 달성.​ [3] Gen7 SSD 1억 IOPS·D2D 기술 준비 차세대 Gen7 S

엔비디아 GPU에 탑재된 ‘삼성 GDDR7’… AI 반도체 주도권 굳힌다 (2025년 12월 3일, 파이낸셜뉴스, 임수빈 • 이동혁 기자) 원문보기: https://www.fnnews.com/news/202512031915481372 [핵심 요약] [1] 12나노 40Gbps GDDR7, 대통령상 수상 삼성전자는 세계 최초 12나노급 40Gbps 24Gb GDDR7 D램으로 2025 대한민국 기술대상 대통령상을 수상하며, 단일 기업 최다(11회) 수상 기록을 보유하게 됐음.​ [2] RTX 5090·루빈 CPX에 탑재 코리아 테크 페스티벌 전시된 엔비디아 RTX 5090 샘플에는 삼성 GDDR7이 적용됐고, 엔비디아는 추론 전용 GPU 루빈 CPX에도 128GB GDDR7을 탑재할 계획으로, 추론용 AI GPU에서 GDDR7 수요가 빠르게 확대되는 상황임.​ [3] GDDR7, 추론·엣지용 메모리로 부상 GDDR7은 40Gbps 속도와

KAIST "나노 물방울 직접 찍었다"…반도체·배터리 풀릴 열쇠 (2025년 12월 2일, 조선일보, 송혜진 기자) 원문보기: https://www.chosun.com/economy/science/2025/12/02/UKAURKCDLZEDZPYPHXOUVGCSQY/?utm_source=naver&utm_medium=referral&utm_campaign=naver-news [핵심 요약] [1] 나노 물방울이 중요한 이유 수소 촉매, 배터리, 반도체 세정·건조 공정에서 물·액체가 표면 위에서 어떻게 퍼지고 붙고 떨어지는지가 성능과 수율을 좌우하지만, 지금까지는 물방울이 너무 작아 실제 거동을 직접 보지 못해 추측에 의존해 왔음.​ [2] 세계 최초 직접 관찰 성공 KAIST 홍승범 교수팀과 서울대 임종우 교수팀은 머리카락 굵기보다 훨씬 작은 나노 물방울을 원자간력현미경(AFM)으로 직접 관찰하는 데 세계 최초로 성공해, 나노 스케일 젖음성 연구의

삼성·SKH, HBM·그래픽·모바일D램에도 신기술 대거 투입, 슈퍼사이클 장기화 대비 (2025년 11월 30일, 아주경제, 강일용 기자) 원문보기: https://www.ajunews.com/view/20251130142129698 [핵심 요약] [1] HBM4·3D D램 기술 강화 삼성전자는 TSV 재설계를 통해 HBM4 대역폭을 최대 3.3TB/s까지 높이고, 트랜지스터·커패시터를 수직 적층한 3D D램과 하이브리드 본딩 연구 성과를 ISSCC 2026에서 공개할 계획임.​ [2] SK하이닉스, GDDR7로 그래픽 메모리 보강 SK하이닉스는 용량 3GB·대역폭 6GB/s GDDR7을 선보여 그동안 상대적으로 약했던 그래픽 D램 경쟁력을 보완하고, 중저가 추론용 AI 칩 시장을 겨냥함.​ [3] 양사, LPDDR6로 모바일 AI 대응 두 회사 모두 핀당 14.4Gbps LPDDR6를 발표해 LPDDR5X 대비 대역폭을 약 1.5배 확장하고,

삼성전자, 엔비디아 HBM4 퀄테스트 결과 임박 … "속도·전력 모두 양호" (2025년 11월 28일, 뉴데일리경제, 장소희 기자) 원문보기: https://biz.newdaily.co.kr/site/data/html/2025/11/28/2025112800102.html [핵심 요약] [1] 엔비디아향 HBM4 퀄테스트 막바지 삼성전자가 엔비디아와 진행 중인 HBM4 품질 테스트가 마무리 단계에 들어갔으며, 이르면 내달 초 최종 결과가 나올 것으로 전망되는 가운데 업계에서는 속도·전력·신뢰성 평가가 전반적으로 긍정적이라는 분위기가 전해짐.​ [2] 1c D램·4나노 베이스다이로 기술 격차 축소 HBM3E에서 SK하이닉스에 밀렸던 삼성은 1c 공정 기반 D램 완성도와 4나노 로직 공정을 적용한 베이스다이 성능을 높여 HBM4에서 격차를 빠르게 줄였다는 평가를 받으며, 11Gbps 이상 속도와 양호한 전력 효율을 확보한 것으로 알려짐.​ [3]