TSMC, AI칩에 '물길' 내 3400W 초고열 '직접 냉각' (2025년 10월 31일, 글로벌이코노믹, 박정한 기자) 원문보기: https://www.g-enews.com/article/Global-Biz/2025/10/202510310454125353fbbec65dfb_1 [핵심 요약] [1] TSMC, 칩 표면 미세 유로로 직접 냉각 구현 TSMC는 반도체 칩 표면에 냉각수가 흐르는 미세 유로(마이크로채널)를 직접 형성해 열전달 물질(TIM) 병목을 제거, 열 저항을 30% 낮추는 IMC-Si 기술을 제시함. [2] CoWoS-R와의 결합으로 공정 적용 IMC-Si는 유기 인터포저 기반 다칩 패키징 기술 ‘CoWoS-R’에 결합되며, 칩 표면의 마이크로 필러 어레이로 접촉면을 확대하고 필름으로 오염을 차단하는 공정으로 구현됨. [3] 3400W 방열 성능 확인 40도 순수를 분당 10리터 유량으로 흘려보내면 약 3400W의 열을 흡수해

"에이전틱 AI 시대 여는 퀄컴…소비자 선호는 ‘스냅드래곤’에 집중" (2025년 10월 29일, 디지털타임스, 김나인 기자) 원문보기: https://www.dt.co.kr/article/12025890?ref=naver [핵심 요약] [1] 에이전틱 AI 구현 위한 ‘스냅드래곤8 엘리트 5세대’ 발표 퀄컴은 스마트폰이 개인의 맥락과 의도를 파악해 스스로 행동하는 ‘에이전틱 인공지능(AI)’ 시대 도래를 대비해 ‘스냅드래곤8 엘리트 5세대’를 선보이며 체감 경험 중심 전략을 내세움 [2] 체감 성능 중심의 컴퓨팅 아키텍처 강조 퀄컴의 헤테로지니어스 컴퓨팅은 CPU, GPU, NPU, 메모리, 센싱 허브가 유기적으로 작동하며, 헥사곤 NPU는 클라우드 도움 없이 LLM 기반 생성 기능을 실시간으로 실행, 사용자 체감 성능을 획기적으로 향상시킴. [3] 벤치마크 점수보다 실제 사용 경험 중요성 부각 퀄컴은 발열과 배터리 제한 환경에서 지속 성능과

"AI發 호황 올라타자"…中도 첨단 D램 올인 (2025년 10월 28일, 한국경제, 김채연 기자) 원문보기: https://www.hankyung.com/article/2025102878911 [핵심 요약] [1] 중국 첨단 D램 개발 가속화 CXMT 등 중국 기업들이 AI 서버와 AI폰용 최첨단 D램과 고대역폭메모리(HBM) 개발에 올인하는 전략 전환 [2] HBM3 양산 앞당겨 CXMT는 16나노 공정 HBM3 샘플을 예상보다 빠르게 화웨이에 공급, 내년부터 대량 생산 계획 [3] LPDDR5X 개발 성공 모바일과 온디바이스 AI용 차세대 D램인 LPDDR5X 개발 성공, 한국 기업과 기술 격차 축소 의미 [4] 국내 시장 위협과 점유율 상승 화웨이, 샤오미 등 국내외 기업에 공급 확대, CXMT D램 시장 점유율 2025년 7%에서 2027년 10% 예상 [5] AI시장 호황을 기술 자립 기회로 중국이 AI 메모리 슈퍼호황을 자국 반도체

Arm, 'Armv9' 플랫폼 공개…"더 쉽게 엣지 AI 기기 개발" (반도체 기술) (2025년 10월 27일, 아이뉴스24, 박지은 기자) 원문보기: https://www.inews24.com/view/1900079 [핵심 요약] [1] 엣지 AI 전용 플랫폼 출시 Arm이 Armv9 아키텍처 기반 엣지 AI 플랫폼 '플렉서블 엑세스' 프로그램 확대 발표 [2] 라이선스 진입 장벽 완화 설계 툴과 기술을 선불 없이 사용할 수 있는 라이선스 모델, 최종 상용화 때만 비용 지불 [3] 주요 신제품 적용 계획 Cortex-A320 CPU, Ethos-U85 NPU 등 신제품 설계툴 내년 초부터 회원사 사용 가능 [4] 스타트업·OEM 접근성 강화 초기 비용 없이 실험 및 설계 가능, 300개 회원사와 400건 이상 반도체 설계 완료 [5] AI-IoT 융합 전망 웨어러블·스마트카메라·로봇 등 다양한 엣지 기기 AI 연산 효율 강화, 2028년까지

에이직랜드, TSMC 3나노·CoWoS 사업 개시…'AI 반도체' 수요 공략 (2025년 10월 26일, 전자신문, 박진형 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20251024000198 [핵심 요약] [1] TSMC 3나노·CoWoS 사업 본격 착수 에이직랜드가 TSMC 3㎚ 공정과 CoWoS 패키징 설계 지원 사업에 돌입, 첨단 AI 반도체 시장 대응 [2] PDK 및 솔루션 역량 강화 TSMC 3㎚ 및 CoWoS 관련 PDK까지 확보, 미세회로 설계와 첨단 패키징 기술 내재화 [3] AI 반도체 설계 생태계 확대 국내외 팹리스·IT·자동차 업체까지 고객 저변 확대, AI 가속기 등 2.5D 패키징 수요에 적극 대응 [4] 미국 시장 진출 준비 한국·대만 중심 양산 경험 바탕으로 미국 시장 진입 계획, 기술 포트폴리오 확장 [5] 국내외 경쟁 구도 심화 삼성전자 DSP 등 국내 협력사와 반도체 설계 수주 경쟁 본격화, 기

中 연구진, 테라헤르츠급 CNT TR 개발 '생태계 지각변동 예고’ (2025년 10월 24일, 조세일보, 백성원 기자) 원문보기: https://www.joseilbo.com/news/htmls/2025/10/20251024555291.html [핵심 요약] [1] 테라헤르츠 대역 CNT TR 개발 중국 연구진이 실리콘 대비 이동성이 뛰어난 탄소나노튜브(CNT) 기반 트랜지스터 개발 [2] 기존 반도체 생태계에 도전 CNT TR의 양자적 특성이 실리콘 한계를 넘어 새로운 반도체 기술 혁신의 기회 제공 [3] 향후 반도체 산업 영향 전망 테라헤르츠 대역에서 작동 가능한 반도체 소자 실현으로 차세대 고속·저전력 반도체 시대 개막 예고 [4] 기술적 난제 및 상용화 과제 실제 생산 공정 최적화와 대량 생산 가능성 확보 위한 연구 지속 중 [5] 글로벌 경쟁 구도 변화 중국 주도의 CNT 기술 발전이 기존 실리콘 반도체 중심 시장에 지각변동을 초래