AI 스마트 공장, 평택 반도체 라인 신설 (2026년 1월 30일, 조선일보, 한예나 기자) 원문보기: https://www.chosun.com/economy/industry-company/2026/01/30/QHX56FK3HZEO5CQMIJEN3AAQYI/ [핵심 요약] [1] DX 부문 AI 신제품 4억대 목표 삼성전자가 TV·스마트폰 등 DX 부문에서 모든 갤럭시 스마트폰과 4K 이상 프리미엄 TV, 와이파이 연결 가전에 AI를 탑재하고 올해 AI 적용 신제품 4억대 판매를 목표로 제시함. [2] 갤럭시·TV·가전의 AI 서비스 확장 모바일은 다양한 AI 서비스를 하나로 연결하는 ‘AI 허브’로 진화하고, 프리미엄 TV는 사용자 맞춤 스크린 경험을 제공하며 생활가전은 가사 부담을 줄이는 것을 넘어 수면·건강까지 관리하는 ‘홈 AI 컴패니언’ 역할을 지향함. [3] 4대 신성장 동력과 M&A 전략 노태문 대표가 공조·전장·메디컬·로봇을 4대

TSMC 여력 없어… 인텔이 애플·엔비디아 칩 생산 (2026년 1월 30일, 조선일보, 오로라 기자) 원문보기: https://www.chosun.com/economy/tech_it/2026/01/30/WF5XHXVW5NG4JMOBXCEGY2N5OQ/ [핵심 요약] [1] TSMC 물량 부족, 인텔로 이전 TSMC가 감당하지 못하는 물량 일부를 인텔이 수주하며 애플 보급형 M 시리즈 프로세서와 엔비디아 보급형 게이밍 GPU 생산을 맡는 구조 형성됨. [2] 인텔, 지정학적 이점으로 수혜 미국 정부를 최대 주주로 둔 ‘국가대표 파운드리’이자 미국 내 생산기지를 보유한 인텔이 관세·수출 규제 리스크에서 자유로운 점을 무기로 TSMC 낙수 효과를 선점하는 모습. [3] 애플·엔비디아의 선택 배경 애플은 TSMC 외 대안으로, 엔비디아는 미 정부와의 관계 개선 및 대중 수출 리스크 관리 차원에서 인텔을 선택한 것으로 해석되며 우선 위험도가 낮은 보급형

삼성 "조기 출하" SK하이닉스 "1위 수성"… HBM4 정면승부 (2026년 1월 29일, 파이낸셜뉴스, 임수빈·정원일 기자) 원문보기: https://www.fnnews.com/news/202601291820293872 [핵심 요약] [1] 삼성·SK 같은 날 HBM4 전략 공개 삼성전자와 SK하이닉스가 29일 같은 날 4·4분기 실적을 발표하며 HBM4를 기점으로 한판 승부를 예고하고 양사의 HBM 전략 차이를 선명하게 드러냄.​ [2] 삼성 1c 공정·성능 우위 강조 삼성전자는 한 단계 앞선 1c(6세대) D램 공정을 HBM4에 적용하고 베이스 다이는 자체 4나노 파운드리 공정으로 제조하며 성능과 전력 효율을 동시에 강화.​ [3] 고객 요구 재설계 없이 통과 삼성전자는 고객사 요청 HBM4 동작 속도 상향에 대해 재설계 없이 성능 요구 수준을 충족하는 검증을 통과했다고 강조.​ [4] SK 양산 경험·신뢰도 우위 강조 SK하이닉스는 검증

SK키파운드리, 4세대 200V 고전압 180nm BCD 공정 출시 (2026년 1월 28일, ZDnet Korea, 장경윤 기자) 원문보기: https://zdnet.co.kr/view/?no=20260128084157 [핵심 요약] [1] 4세대 200V 고전압 BCD 공정 출시 SK키파운드리가 4세대 200V 고전압 0.18마이크론 BCD 공정을 출시하고 연내 양산을 목표로 국내외 주요 고객과 제품 개발 진행 중.​ [2] 고전압 반도체 시장 수요 급증 자동차 전동화로 전압 체계가 12V에서 48V로 전환되고 있으며 AI 서버·데이터센터는 380V DC에서 최대 800V DC까지 전압을 높이면서 고전압 공정 수요 급증.​ [3] 3세대 대비 성능 20% 이상 개선 4세대 공정은 전력 효율성과 고온 내구성을 나타내는 Rsp·BVDSS 특성을 3세대 대비 20% 이상 개선했으며 동작 전압별 낮은 온저항 소자로 칩 면적과 전력 손실 최소화.​ [

한·중·일 전력반도체 협력 거점 '부산'…WBG 반도체 워크숍 개최 (2026년 1월 28일, 서울경제, 조원진 기자) 원문보기: https://www.sedaily.com/article/20001586?ref=naver [핵심 요약] [1] 부산서 한중일 WBG 반도체 워크숍 개최 부산시가 부경대와 공동 주최로 28일부터 30일까지 '2026 Power up WBG 반도체 워크숍'을 개최하며 한국·중국·일본의 산·학·연·관 전문가 50여 명이 참석.​ [2] 차세대 WBG 반도체 기술 강점 질화갈륨(GaN)과 탄화규소(SiC)를 주요 소재로 하는 와이드밴드갭 반도체는 기존 실리콘 반도체 대비 전력 효율이 높고 고온·고전력 환경에서 안정적 작동.​ [3] 노벨상 수상자급 석학의 기술 발표 29일 핵심 학술 프로그램에서 노벨물리학상 수상자 아카사키 이사무의 제자 메이조대 카미야마·이와야 교수가 GaN 광전자소자 연구 성과를 발표하고, 노벨상 수상자

인텔, 1.8나노 공정 가늠자 '팬서레이크' 성능 합격점… 삼성 파운드리에 영향은 (2026년 1월 27일, 조선일보, 정두용 기자) 원문보기: https://biz.chosun.com/it-science/ict/2026/01/27/WIR4S7SUZNCWVO3OGRIX6ULGSI/ [핵심 요약] [1] 인텔 18A 공정 수율 60% 달성으로 파운드리 경쟁력 강화 인텔이 1.8나노미터(18A) 공정을 적용한 팬서레이크 CPU의 수율을 60% 수준까지 개선했으며, 미국 정부 지원과 세제 혜택을 바탕으로 삼성전자 파운드리 사업에 본격적인 위협이 될 전망.​ [2] 팬서레이크 성능 평가에서 경쟁 제품 대비 우수성 입증 CPU 성능 테스트 결과 싱글 점수 3009점으로 AMD 스트릭스 헤일로(2986점)보다 높고, 멀티 점수 17268점으로 M5(17948점)와 유사한 수준을 기록해 "수년 만에 거둔 가장 큰 성공"이라는 평가를 받음.​ [3] 2027년