Arm, 서버 CPU용 IP '네오버스 CSS N4' 공개 (2026년 9월 8일, ZDNet Korea, 권봉석 기자) 원문보기: https://zdnet.co.kr/view/?no=20260907180808 [핵심 요약] [1] Arm, 서버·데이터센터용 네오버스 CSS N4 공개 Arm이 서버와 데이터센터용 CPU IP ‘네오버스 CSS N4’를 공개했으며 고객사가 코어 수와 캐시, I/O·연결성을 필요에 맞게 구성할 수 있도록 유연성을 높임 [2] 최대 128코어 탑재와 성능 개선 N4는 한 다이에 최대 128코어를 탑재할 수 있고 네오버스 CSS N3와 비교해 소켓당 성능은 2배, 전력 효율은 1.25배, 메모리 대역폭은 1.75배 향상됨 [3] TSMC·삼성 파운드리 공정 지원 네오버스 CSS N4는 TSMC N3·N3P와 삼성 파운드리 SF2·SF2P 공정을 기반으로 설계돼 주요 파트너사가 이를 활용해 Arm 기반 서버 프로세서를 개발

화웨이, 中 반도체 '자립' 이끈다…노광장비·핵심부품 국산화 속도 (2026년 9월 8일, 뉴시스, 박미선 기자) 원문보기: https://www.newsis.com/view/NISX20260908_0003780883 [핵심 요약] [1] 화웨이, 중국 반도체 장비 자립 주도 화웨이가 노광장비 산업 전반에 투자하고 SMIC 등 중국 반도체 제조사와 자국 장비업체의 거래를 지원하며 자체 공급망 구축에 속도를 내고 있음 [2] 중국산 DUV 노광장비 시험 확대 상하이 장비업체 위량성이 개발한 중국산 첨단 DUV 노광장비가 SMIC와 화웨이 생산라인 등에서 시험되고 있으며 장기적으로 AI 반도체 생산에 활용하는 것이 목표임 [3] 핵심 부품 국산화에도 투자 화웨이의 기업형 벤처캐피털 하보 등이 초정밀 광학부품과 DUV용 고출력 광원 업체에 투자하면서 노광장비 핵심 부품의 국산화도 함께 추진하고 있음 [4] ASML과의 기술 격차는 여전히 존재 중국산 D

퀄컴, AWS와 AI칩 협력…엔비디아에 도전장 (2026년 9월 8일, 서울경제, 박민주 기자) 원문보기: https://www.sedaily.com/article/20088667?ref=naver [핵심 요약] [1] 퀄컴, AWS와 맞춤형 AI 반도체 공동개발 퀄컴이 아마존웹서비스(AWS)와 여러 세대에 걸친 맞춤형 반도체를 공동 개발해 AWS의 AI 인프라 구축을 지원하며 엔비디아 중심의 AI 반도체 시장에 도전장을 내밈 [2] AI 추론용 반도체 개발에 집중 양사는 AI 모델을 실제 서비스에서 구동하는 추론 분야를 중심으로 협력하고 있으며 구체적인 제품과 계약 조건은 공개하지 않음 [3] 고속 광연결 기술도 공동 개발 퀄컴과 AWS는 AI 데이터센터의 데이터 처리 수요 증가에 대응해 초당 최대 1.6테라비트(Tbps)의 고속 광연결 기술도 함께 개발할 예정임 [4] 퀄컴, 데이터센터 사업 본격 확대 퀄컴은 지난 6월 데이터센터용 CPU ‘드

세미파이브, 하이퍼엑셀 데이터센터용 AI 칩 양산…"삼성 4나노 첫 적용" (2026년 9월 8일, ZDNet Korea, 전화평 기자) 원문보기: https://zdnet.co.kr/view/?no=20260908133925 [핵심 요약] [1] 세미파이브, 하이퍼엑셀 AI 가속기 양산 세미파이브가 하이퍼엑셀의 데이터센터용 LLM 추론 가속기를 삼성 파운드리 4나노 공정으로 대규모 양산하며 삼성 4나노를 적용한 첫 대규모 양산 사례를 확보함 [2] 500㎟ 이상 초대면적 빅다이 칩 적용 해당 칩은 500㎟ 이상의 초대면적 빅다이 제품으로 발열·전력·수율 관리가 까다로운 만큼 세미파이브가 설계부터 패키징과 테스트, 양산까지 일괄 수행함 [3] 개발에서 반복 양산 구조로 전환 이번 양산을 통해 세미파이브는 단발성 개발 중심에서 벗어나 반복적인 매출을 창출할 수 있는 양산 파이프라인을 구축했으며 데이터센터용 가속기까지 양산 제품군을 확대함 [4] 상반

삼성 파운드리, HBM4 확대 총력…4나노 캐파 절반이 '베이스 다이' (2026년 9월 7일, ZDNet Korea, 장경윤 기자) 원문보기: https://zdnet.co.kr/view/?no=20260907110055 [핵심 요약] [1] 삼성 파운드리, 4나노 절반 이상 HBM4에 투입 삼성전자 파운드리가 4나노 생산능력의 50% 이상을 HBM4용 베이스 다이 양산에 할당하며 하반기 글로벌 빅테크향 HBM4 공급 확대에 대응하고 있음 [2] HBM4 공급 확대에 맞춰 웨이퍼 투입 증가 삼성전자는 3분기부터 HBM4 공급을 본격 확대할 계획으로 올해 중반부터 베이스 다이 생산을 위한 4나노 웨이퍼 투입량도 크게 늘리고 있음 [3] 월 1만5000장 수준의 베이스 다이 생산 삼성전자의 4나노 생산능력은 월 3만장 내외로 추산되며 이 가운데 약 절반이 HBM4용 베이스 다이에 투입되는 것으로 관측됨 [4] 베이스 다이 중요성 확대 베이스 다이는

삼성, 美정부 주도 '파운드리스쿨' 등판…AI 제조 생태계 합류 (2026년 9월 7일, 이데일리, 김소연 기자) 원문보기: https://www.edaily.co.kr/News/Read?newsId=03384966645577824&mediaCodeNo=257&utm_source=naver&utm_medium=referral&utm_campaign=news_syndication&utm_content=original_article [핵심 요약] [1] 삼성전자, 미국 ‘파운드리 스쿨’ 합류 삼성전자가 미국 국무부가 주도하는 첨단 제조 인재 육성 프로그램 ‘파운드리 스쿨’에 참여하며 미국 내 반도체 제조 인력과 산업 생태계 확보에 나섬 [2] 미국 정부, 첨단 제조 인력 직접 육성 파운드리 스쿨은 엔지니어·기술자·기업가 등을 대상으로 교육을 진행하며 스탠퍼드대·펜실베이니아주립대·조지아공대 등 주요 대학이 과정 개발에 참여함 [3] ‘팍스 실리카’ 중심