ASM, 화성에 1억 달러 투자해 '혁신제조센터’ 설립 (2025년 12월 8일, 한국경제, 황정환 기자) 원문보기: https://www.hankyung.com/article/202512080696i [핵심 요약] [1] 화성 동탄에 혁신제조센터 공식 개소 ASM 경기도 화성에 1억달러 투자한 '혁신제조센터(The Innovation and Manufacturing Center)' 개소, 7400㎡ 부지·연면적 기존 1.5배 확대.​ [2] ALD·에피택시 첨단 기술 개발 허브 원자층 증착(ALD)·에피택시(Epitaxy) 솔루션 선도 기업으로 2nm GAA 공정 등 차세대 반도체 제조 핵심 기술 개발 주도.​ [3] 한국 PEALD 기술 글로벌 허브 역할 한국 ASM PEALD(플라즈마원자층증착) 기술 글로벌 허브로 자리매김, 2개 첨단 제조 클린룸·물류 창고 완비로 생산 효율 대폭 향상.​ [4] CEO "한국 차세대 반도체

SK하이닉스, 日 의존 EUV PR 국산화 추진…동진쎄미켐과 협력 (2025년 12월 7일, 전자신문, 박진형 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20251205000260 [핵심 요약] [1] 동진쎄미켐과 고성능 EUV PR 공동 개발 SK하이닉스 일본 JSR·TOK 독점 EUV 포토레지스트(PR) 국산화 착수, 동진쎄미켐과 협력해 기존 제품 대체 넘어 우수 성능 소재 개발 추진.​ [2] 생산성 향상 PR 감도 개선 요구 일본 제품보다 우수한 PR 감도 개선으로 노광 시간 단축·생산능력 극대화 목표, EUV 노광 장비(1대 2000억원) 활용 효율화 전략.​ [3] D램 EUV 레이어 증가 대응 필요 10나노 4세대(1a) 1개→6세대(1c) 5개→7세대(1d) 7개로 EUV 레이어 급증, 10나노 미만 제품 추가 확대 전망 속 PR 개발 필수.​ [4] 2023년 저사양 국산화 한계 극복 SK머티리얼즈 퍼포먼스 통해

ST, 18나노 공정 '마이크로컨트롤러’ 출시 (2025년 12월 4일, 전자신문, 권동준 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20251204000259 [핵심 요약] [1] 삼성 파운드리 협업 18나노 MCU 국내 출시 ST마이크로일렉트로닉스 18나노미터 공정 마이크로컨트롤러유닛(MCU) 국내 출시, 삼성전자 파운드리와 협업해 로봇·에너지·우주항공 등 산업용 기기 시장 공략.​ [2] STM32V8, Arm Cortex-M85·PCM 메모리 탑재 차세대 고성능 MCU 'STM32V8' 공개, Arm Cortex-M85 기반에 업계 최초 내장 상변화 메모리(PCM) 탑재, ST FD-SOI 공정 적용으로 누설 전류 강점 확보.​ [3] 프랑스·삼성 파운드리 공동 생산 STM32V8 프랑스 크롤 공장과 삼성전자 파운드리 통해 제조, 기존 40~180나노 대비 회로 선폭 대폭 축소로 집적도 향상·성능 증가·전력 소모

車 반도체로 돌파구 찾는 삼성 파운드리, 현대차에 14나노 eM램 공급 (2025년 12월 3일, 지디넷코리아, 전화평 기자) 원문보기: https://zdnet.co.kr/view/?no=20251203135550 [핵심 요약] [1] 현대차에 14나노 eM램 공급 삼성 파운드리가 14나노 핀펫 공정으로 양산한 eM램(embedded MRAM)을 현대차에 공급하기로 하면서, 차량용 반도체를 기반으로 파운드리 사업 반등에 나선 것으로 확인됨.​ [2] eM램, 차량용 임베디드 메모리로 부상 eM램은 로직 내부에 집적되는 비휘발성 메모리로, 낸드보다 약 1000배 빠르면서도 저전력인 특성 덕분에 자동차용 MCU·고성능 제어칩에서 수요가 빠르게 늘고 있음.​ [3] eM램 로드맵 14→8→5나노 삼성전자는 14나노 eM램 공정 개발을 완료했고, 2026년 8나노, 2027년 5나노로 포트폴리오를 확대할 계획이며, 8나노 eM램은 14나노

삼성 HBM 생산능력, 하이닉스 첫 추월 (2025년 12월 1일, 서울경제, 서종갑 기자) 원문보기: https://www.sedaily.com/NewsView/2H1K9E8DYI [핵심 요약] [1] 삼성, HBM 생산량 1위 탈환 삼성전자의 HBM 웨이퍼 투입량이 월 17만 장 수준으로 늘어나 SK하이닉스(16만 장)를 처음으로 앞서며 HBM 생산능력 1위에 올랐다는 분석이 제기됨.​ [2] 라인 전환·조직 쇄신 효과 범용 D램 라인을 선제적으로 HBM용 1c D램 라인으로 전환하고, 전영현 부회장 취임 후 HBM 개발팀·AVP 사업팀 재편 등 조직 개편을 단행한 것이 수율 안정과 물량 확대에 기여한 것으로 평가됨.​ [3] 설비 투자와 P5까지 동원한 증설 평택 P3·P4 라인을 HBM 중심으로 전환·증설하고, 평택 5공장(P5) 골조 공사도 추진하며 메모리 슈퍼사이클 대응을 위한 생산능력 확대에 속도를 내는 중임.​ [4] SK하이닉스,

삼성전자 평택 5공장 구축 '속도'…가스·화학 설비 구축 착수 (2025년 11월 30일, 전자신문, 권동준 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20251130000072 [핵심 요약] [1] P5 공장, 핵심 설비 입찰 착수 삼성전자가 평택 P5 반도체 공장에 대해 가스·화학물질 공급 설비 경쟁 입찰을 준비하며 핵심 유틸리티 구축 단계에 들어갔고, 이는 임시 경영위원회에서 골조 공사 재개를 결정한 직후 바로 추진되는 것임.​ [2] 패스트트랙으로 가동 시점 앞당길 가능성 가스·화학 설비를 골조 공사와 동시에 진행하는 패스트트랙 방식이 적용되면서, 당초 목표였던 2028년보다 P5 가동 시점이 빨라질 수 있다는 관측이 나오며, AI 확산에 따른 반도체 수요 급증에 대응하기 위한 행보로 해석됨.​ [3] 대형 가스·화학 업체들 수주 경쟁 린데, 에어리퀴드, 한양기공(머크), 원익홀딩스, 한양이엔지, 에스티아이 등 국내외 주요