‘HBM4 양산’ 삼성이 빨랐다…차세대 제품 세계 첫 출하 (2026년 2월 13일, 중앙일보, 박영우 • 이영근 기자) 원문보기: https://www.joongang.co.kr/article/25404828 [핵심 요약] [1] 삼성전자, HBM4 세계 최초 양산 출하 삼성전자가 AI 반도체 핵심 부품인 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 세계 최초로 양산 출하했다고 보도.​ [2] HBM3E 부진 만회 ‘속도전’ 의미 직전 세대(HBM3E)에서 SK하이닉스에 주도권을 내준 흐름을 HBM4에서 되돌리려는 의지가 이번 조기 출하에 반영됐다는 업계 해석 소개.​ [3] 출하 시점, 당초 계획보다 약 1주 앞당김 설 연휴 직후로 잡았던 양산 출하 일정을 고객사와 협의해 약 일주일가량 앞당겼다고 전함.​ [4] 전송 속도, 고객 요구치(3.0TB/s) 상회 단일 스택 기준 최대 3.2TB/s 수준으로 이전 모델 대비 약 2.7배 개선돼 고객 요구 수준

SK하이닉스, HBM4 생산능력 확대…청주 패키징·테스트 라인 구축 시작 (2026년 2월 12일, 전자신문, 권동준 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20260212000125 [핵심 요약] [1] 청주 P&T6(구 M8) HBM 라인 장비 발주 시작 SK하이닉스가 과거 시스템IC 파운드리 팹이었던 청주 P&T6 공장에 HBM 패키징·테스트 라인을 구축하기 위한 초기 장비 발주(Initial PO) 개시.​ [2] 3월 클린룸 오픈 맞춰 장비 반입 예정 이르면 3월 클린룸이 개방됨에 따라 공정 라인 셋업 및 검증을 위한 장비 반입이 본격화될 전망.​ [3] HBM4 양산 거점으로 육성 P&T6 라인은 엔비디아에 공급될 6세대 HBM인 'HBM4'의 최종 패키징 및 테스트를 담당하는 후공정 핵심 기지로 활용될 예정.​ [4] 월 2만장 규모 추가 생산능력 확보 기대 본격 가동 시 웨이퍼 기준 월 2만장 안팎의 생산능력이

반도체 신소재 전쟁...독일 머크도 텅스텐 대체하는 '몰리브덴' 국내 양산 (2026년 2월 11일, 조선비즈, 김성민 기자) 원문보기: https://www.chosun.com/economy/tech_it/2026/02/11/RAOVNLKVCFFANLQPFSJUXJJEXY/?utm_source=naver&utm_medium=referral&utm_campaign=naver-news [핵심 요약] [1] AI 반도체 미세화·적층 구조 확산 AI 칩을 더 좁은 면적에 집적하기 위해 미세 회로와 3D 적층 구조가 일반화되고 있으며, HBM처럼 D램을 적층하는 구조가 본격화되고 있음. [2] 머크, 텅스텐·구리 한계 돌파 위해 몰리브덴 활용 머크는 텅스텐과 구리가 미세 공정에서 전기 저항이 급증하는 문제를 해결하기 위해, 전기 전도성이 뛰어나고 기존 공정과 호환성이 높은 몰리브덴을 새로운 금속 배선 소재로 활용하고 있음. [3] 충북 음성 공장 가동으

SK하이닉스, 美 HBM 패키징 공장 건설 속도…기초공사 돌입 (2026년 2월 9일, 이데일리, 공지유 기자) 원문보기: https://www.edaily.co.kr/News/Read?newsId=04280406645348880&mediaCodeNo=257&OutLnkChk=Y [핵심 요약] [1] 美 인디애나 패키징 공장 기초공사 착수 이달 23일부터 현장 펜스 설치를 시작으로 내달 2일 땅 다지기 등 본공사를 위한 사전 작업에 돌입하며, 2028년 가동을 목표로 총 40억 9000만 달러를 투입할 예정임. [2] HBM4 및 차세대 시장 주도권 강화 해당 공장을 차세대 HBM 패키징 거점으로 활용할 계획이며, 올해 엔비디아의 차세대 AI 가속기용 HBM4 물량의 약 70%를 공급할 것으로 전망되는 등 시장 입지를 굳건히 하고 있음. [3] 첨단 패키징 기술의 중요성 부각 AI 반도체 경쟁의 축이 미세공정에서 패키징으로 이동함에 따라, HBM

TSMC, 3㎚ 일본 시설 확대 '삼성전자에 양면 변수' (2026년 2월 6일, 조선일보, 백성원 기자) 원문보기: https://www.joseilbo.com/news/htmls/2026/02/20260206562441.html [핵심 요약] [1] TSMC 일본 구마모토 제2공장 3나노 공정 도입 ​ TSMC가 일본 구마모토 제2공장에서 3나노급 첨단 공정을 양산할 계획으로, 일본 내 최첨단 반도체 생산을 가속화함. [2] 일본 정부 추가 지원 기대 속 설비 투자 확대 ​ 3나노 공정 전환으로 투자 규모가 늘어나고, 일본 정부가 경제안보 차원에서 보조금을 더 검토하는 움직임 보임. [3] 삼성 파운드리 일본 소부장 의존도 약점 부각 ​ TSMC가 일본 소재·부품·장비를 활용해 생산 안정성을 높이면, 일본 소부장에 의존하는 삼성전자의 공급망 리스크가 커질 전망. [4] 대만 리스크 우려 고객사 삼성 유치 기회​ TSMC 대만 공장 지진·지정

자신감 붙은 삼성…HBM4용 D램 투자로 주도권 쥔다 (2026년 2월 5일, 한국경제, 강해령 기자) 원문보기: https://www.hankyung.com/article/2026020571801 [핵심 요약] [1] 평택4공장 증설로 HBM4용 1c D램 대폭 확대​ 삼성전자가 평택4공장(P4)을 중심으로 HBM4용 1c D램 생산능력을 월 12만장 규모로 증설하며, 전체 D램 생산량의 25% 수준을 차지하도록 키움. [2] 엔비디아 HBM4 퀄 테스트 가장 먼저 통과 ​ HBM4 분야에서 엔비디아의 품질 테스트를 경쟁사보다 먼저 통과해 다음달 양산 출하를 앞두고 있으며, 기술 경쟁력 회복에 자신감을 보임. [3] 수십조원 규모 설비 투자로 양산 체제 구축​ 풍부한 자본과 D램 생산능력 세계 1위를 앞세워 대규모 신규 설비 투자를 단행하고, AI 수요 폭증에 적극 대응하는 양산 체제를 완성. [4] 범용 D램 라인도 1c 공정으로 전환 검토