LG이노텍, SK하이닉스 뚫었다…GDDR7용 패키지 기판 공급 (2025년 12월 18일, 지디넷코리아, 장경윤 기자) 원문보기: https://zdnet.co.kr/view/?no=20251218111651 [핵심 요약] [1] LG이노텍, SK하이닉스 GDDR7 FC-CSP 양산 진입 LG이노텍이 SK하이닉스의 최신 그래픽 D램 GDDR7용 패키지 기판 FC-CSP 양산에 들어가며, 내년 상반기부터 메모리용 패키징 기판 매출 본격화 예상됨.​ [2] GDDR7·FC-CSP로 고성능 메모리 패키징 공략 GDDR7은 현 세대 최고 사양 그래픽 D램으로, 저전력·소형 패키지에 적합한 FC-CSP 구조를 채택하며 기존 BOC 대비 전기·열 특성이 우수해 칩 성능 향상에 유리한 것으로 평가됨.​ [3] 시스템반도체 중심에서 메모리 기판으로 사업 외연 확대 그동안 CPU·모바일 AP용 FC-CSP·FC-BGA에 집중하던 LG이노텍이 GDDR7 패키지 기

삼성 파운드리 8나노 '수주 행진'…엔비디아 이어 인텔 접수 (2025년 12월 16일, 한국경제, 강해령 기자) 원문보기: https://www.hankyung.com/article/2025121674081 [핵심 요약] [1] 인텔 PCH 8nm 양산 최종 협의 인텔이 기존 텍사스 삼성 14nm 라인에서 생산하던 PCH를 8nm로 미세화해 경기 화성 8nm 라인에서 재위탁하는 막바지 작업 진행 중.​ [2] 닌텐도 스위치2용 엔비디아 GPU 이어 저가형 8nm 물량 확대 삼성은 닌텐도 스위치2 탑재 엔비디아 GPU를 8nm로 생산 중이며, 엔비디아가 추가 저가형 8nm GPU 생산도 의뢰한 상태.​ [3] 8nm 월 3만~4만장 생산…전체의 약 9% 삼성 8nm 생산능력은 300mm 기준 월 3만~4만장으로 전체 파운드리 캐파(월 약 35만장)의 약 9% 수준.​ [4] 8nm 성숙도 입증, 첨단 공정 수주 탄력 기대 인텔·엔비디아 등 대형

화웨이·SMIC, 美 제재 속 AI 칩 공정 진전…中 반도체 자립 가속 (2025년 12월 14일, ZD넷 코리아, 전화평 기자) 원문보기: https://zdnet.co.kr/view/?no=20251212165215 [핵심 요약] [1] 기린 9030, 중국 내 최첨단 공정 사례 테크인사이츠 분석에 따르면 메이트 80 프로 맥스 탑재 기린 9030은 SMIC 기존 공정을 개선한 기술로 생산됐고, 중국에서 달성된 가장 진보된 제조 사례.​ [2] SMIC N+3 공정, 7nm 개선이지만 5nm 대비 뒤처짐 SMIC 기존 7nm를 개선한 N+3 공정으로 기린 9030 생산, TSMC·삼성 5nm 양산 공정 대비 미세화 수준 상당히 낮음.​ [3] 미국 엔티티 리스트 속 점진적 미세화 달성 화웨이·SMIC 미 수출 통제 대상이지만 장비·기술 제약에도 점진적이지만 의미 있는 미세화 진전 이룸.​ [4] 장비 제약·수율·비용 한계 여전 어플라이드 머티

SK하이닉스, 제조기술 조직에 ‘AI팀’ 신설…AI 팹 전환 속도낸다 (2025년 12월 11일, 매일경제, 안서진 기자) 원문보기: https://www.mk.co.kr/news/business/11489516 [핵심 요약] [1] 제조기술(M&T) 공정별 AI팀 신설 검토 SK하이닉스 양산총괄 제조기술 조직 내 포토·에치·디퓨전·씬필름·C&C 등 주요 공정 기술그룹마다 AI팀 신설, 생산현장 특화 공정 효율화·수율 개선 목표.​ [2] 전사 AI/DA 조직과 차별 현장 중심형 기존 전사 AI/DA(결함분석)솔루션 조직은 인프라 구축 중심, 새 AI팀은 생산라인 실시간 데이터 분석으로 효율화 뒷받침, HR에 공식 건의 상태.​ [3] 청주 M15X 인텔리전스팹→Y2 오토노머스팹 로드맵 청주 M15X 인텔리전스팹(2027 Y1 옵티마이즈드팹→2033 Y2 오토노머스팹) 단계적 AI팹 고도화 추진.​ [4] 글로벌 AI리서치센터·HB

ASM, 화성에 1억 달러 투자해 '혁신제조센터’ 설립 (2025년 12월 8일, 한국경제, 황정환 기자) 원문보기: https://www.hankyung.com/article/202512080696i [핵심 요약] [1] 화성 동탄에 혁신제조센터 공식 개소 ASM 경기도 화성에 1억달러 투자한 '혁신제조센터(The Innovation and Manufacturing Center)' 개소, 7400㎡ 부지·연면적 기존 1.5배 확대.​ [2] ALD·에피택시 첨단 기술 개발 허브 원자층 증착(ALD)·에피택시(Epitaxy) 솔루션 선도 기업으로 2nm GAA 공정 등 차세대 반도체 제조 핵심 기술 개발 주도.​ [3] 한국 PEALD 기술 글로벌 허브 역할 한국 ASM PEALD(플라즈마원자층증착) 기술 글로벌 허브로 자리매김, 2개 첨단 제조 클린룸·물류 창고 완비로 생산 효율 대폭 향상.​ [4] CEO "한국 차세대 반도체

SK하이닉스, 日 의존 EUV PR 국산화 추진…동진쎄미켐과 협력 (2025년 12월 7일, 전자신문, 박진형 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20251205000260 [핵심 요약] [1] 동진쎄미켐과 고성능 EUV PR 공동 개발 SK하이닉스 일본 JSR·TOK 독점 EUV 포토레지스트(PR) 국산화 착수, 동진쎄미켐과 협력해 기존 제품 대체 넘어 우수 성능 소재 개발 추진.​ [2] 생산성 향상 PR 감도 개선 요구 일본 제품보다 우수한 PR 감도 개선으로 노광 시간 단축·생산능력 극대화 목표, EUV 노광 장비(1대 2000억원) 활용 효율화 전략.​ [3] D램 EUV 레이어 증가 대응 필요 10나노 4세대(1a) 1개→6세대(1c) 5개→7세대(1d) 7개로 EUV 레이어 급증, 10나노 미만 제품 추가 확대 전망 속 PR 개발 필수.​ [4] 2023년 저사양 국산화 한계 극복 SK머티리얼즈 퍼포먼스 통해