SK하이닉스, HBM 발열 잡는 신기술 공개…“8세대부터 적용” (2026년 5월 26일, 동아일보, 이민아 기자) 원문보기: https://www.donga.com/news/Economy/article/all/20260526/133991549/1 [핵심 요약] [1] SK하이닉스, ‘iHBM’ 기술 공개 SK하이닉스가 HBM 내부에 열 배출 전용 통로를 추가한 ‘iHBM’ 기술 공개 [2] 발열 저항 30% 이상 감소 일체형 냉각 요소 ‘ICE’를 적용해 기존 대비 열 저항을 30% 이상 줄이고 고온·고부하 환경 안정성 강화 [3] 발열 집중 구간 직접 냉각 HBM 내부 D2D PHY 구간에 열 배출 소자를 직접 배치해 AI 연산 과정에서 발생하는 고발열 문제 해결 추진 [4] HBM5부터 차세대 제품 적용 8세대 HBM인 HBM5부터 해당 기술을 적용하고 기존 MR-MUF 패키징 공정 기반으로 양산 호환성 확보 [5] AI 데이터센터 시장 대응

반도체 클러스터 앞 '수도권 장벽'…경기도, 정부에 재검토 요청 (2026년 5월 26일, 전자신문, 김동성 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20260526000001 [핵심 요약] [1] 경기도, 수도권 제외 조항 재검토 요청 경기도가 반도체특별법 시행령에 포함된 ‘수도권 외 지역’ 요건에 대해 정부에 재검토 요청 방침 발표 [2] 경기 남부 반도체 벨트 영향 우려 용인·평택·화성·이천 등 경기 남부 반도체 생산 거점이 메가클러스터 지정 대상에서 제외될 가능성 제기 [3] 소부장 기업 투자 불확실성 확대 대기업 증설 일정에 맞춰 투자한 소재·부품·장비 기업들이 정책 지원 대상에서 빠질 수 있다는 우려 확산 [4] 글로벌 장비기업 투자 변수 부상 ASML·램리서치·어플라이드 머티어리얼즈 등 글로벌 반도체 장비기업의 국내 투자 판단에도 영향 가능성 제기 [5] 법리적 타당성 논란 제기 반도체특별법 본문에 ‘수도권 제외’ 규

삼성전자, 세계 최초 '900단 V낸드' 구현…1000단 시대 초읽기 (2026년 5월 25일, 전자신문, 이형두 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20260522000306 [핵심 요약] [1] 삼성전자, 900단 V낸드 구현 성공 삼성전자가 450단 셀 웨이퍼 2장을 접합하는 기술을 활용해 세계 최초로 900단 클래스 V낸드 프로토타입 구현 성공 [2] 차세대 적층 기술 ‘CMB’ 적용 ‘셀 멀티 본딩(CMB)’ 기술을 통해 초고단 적층 구조를 구현하며 1000단 낸드 시대 기반 확보 [3] 웨이퍼 휨·정렬 오류 극복 상부 척 설계와 독자적 오버레이 보정 기술을 적용해 초고단 적층 과정에서 발생하는 워피지와 정렬 오류 해결 [4] 전력 효율·칩 면적 개선 성과 새 비트라인(BL)·워드라인(WL) 구조 도입으로 전력 소비를 줄이고 칩 크기 효율까지 개선 [5] 중국 NAND 추격 대응 전략 부상 YMTC 등 중국 업체들의

화학 중심 구조 탈피… OCI, 반도체·AI 소재로 영토 넓힌다 (2026년 5월 25일, 아시아투데이, 김영진 기자) 원문보기: https://www.asiatoday.co.kr/kn/view.php?key=20260526010007200 [핵심 요약] [1] OCI, 반도체·AI 소재 중심 체질 전환 OCI가 기존 화학 중심 사업 구조에서 벗어나 반도체 소재와 AI 인프라용 첨단 소재 중심으로 사업 재편 추진 [2] 반도체 핵심 공정 소재 공급 확대 반도체용 폴리실리콘과 인산, 고순도 과산화수소 생산 확대를 통해 웨이퍼·식각·세정 공정 소재 공급망 강화 [3] 식각용 인산·SiH4 증설 추진 반도체 식각 공정용 인산 5000톤 증설과 함께 실리콘 음극재용 특수소재 SiH4 양산 확대 계획 공개 [4] AI 데이터센터 전력 인프라 수요 대응 AI 데이터센터 확대에 대응해 전도성 카본블랙 3만톤 증설을 추진하고 고부가 전선용 제품 비중 확대 [5]

'메모리 월' 부순다…GPU·HBM '광연결' 패키징 부상 (2026년 5월 22일, ZDNet Korea, 진운용 기자) 원문보기: https://zdnet.co.kr/view/?no=20260522111204 [핵심 요약] [1] GPU·HBM 광연결 기술 부상 AI 반도체의 병목 현상인 ‘메모리 월’을 해결하기 위해 GPU와 HBM을 광(옵티컬) 방식으로 연결하는 차세대 패키징 기술 논의 확대 [2] 기존 2.5D 패키징 한계 도달 GPU 주변에 HBM을 밀착 배치하는 기존 구조는 쇼어라인(테두리 길이) 제약으로 HBM 탑재 수 확대에 물리적 한계 노출 [3] HBM 적층 확대도 난도 급증 12단·16단을 넘어 20단 이상 적층이 추진되면서 공정 난도가 급격히 높아지고 높이 규격 문제까지 발생 [4] 광연결 통해 대역폭·용량 확대 추진 GPU와 HBM을 일정 거리 떨어뜨린 뒤 광신호로 연결해 기존보다 훨씬 많은 HBM을 탑재하는 방식 검토 [

美, 양자컴퓨터 기업에 3조원 지원 추진…정부 지분투자도 (2026년 5월 22일, 이데일리, 김상윤 기자) 원문보기: https://www.edaily.co.kr/News/Read?newsId=01098806645451544&mediaCodeNo=257&OutLnkChk=Y [핵심 요약] [1] 미국 정부, 양자컴퓨팅 산업 직접 지원 미국 정부가 양자컴퓨터 산업 육성을 위해 20억달러(약 3조원) 규모 지원금과 지분 투자 추진 [2] IBM 중심 대규모 투자 진행 IBM은 전체 지원금 가운데 10억달러를 지원받고 자체 자금 10억달러를 추가 투자해 미국 최초 양자 반도체 생산시설 구축 계획 [3] 정부 직접 지분 확보 방식 도입 미국 정부는 단순 보조금 지급을 넘어 양자컴퓨팅 기업들의 소수 지분까지 직접 확보하는 방식 추진 [4] 양자컴퓨팅 관련주 급등 지원 소식 이후 IBM과 글로벌파운드리스, 디웨이브 퀀텀, 리게티 컴퓨팅 등 관련 종목 급등세