“유리기판·올레도스 수익창출” 삼성 전자 계열, 조직 개편 키워드는 '사업화' (2025년 11월 30일, 전자신문, 박진형 • 김영호 • 정현정 • 이호길) 원문보기: https://www.etnews.com/20251130000025 [핵심 요약] [1] 삼성전기, 유리기판 본격 사업화 준비 삼성전기는 반도체 기판을 담당하는 패키징솔루션사업부장에 유리기판 R&D를 이끌어온 주혁 부사장을 선임하며, 글라스 코어·글라스 인터포저 등 차세대 AI 반도체용 유리기판을 2027년 양산 목표로 사업화 속도를 높이고 있음.​ [2] 삼성디스플레이, 마이크로 디스플레이 ‘OLEDoS’ 강화 삼성디스플레이는 사장 직속이던 마이크로 디스플레이 M프로젝트팀을 중소형사업부 산하로 옮기고 M사업화팀을 신설해, 갤럭시 XR에 공급을 시작한 OLEDoS를 비롯한 XR·스마트안경용 마이크로 디스플레이 사업을 확대하려는 전략을 취함.​ [3] 애플 전담 조직 격상 핵심

1000억 투입 반도체 연구소, 3년째 착공도 못해 (2025년 11월 28일, 조선일보, 표태준 기자) 원문보기: https://www.chosun.com/national/education/2025/11/28/CWR677HRIJEGPI32WWTAUIRVA4/?utm_source=naver&utm_medium=referral&utm_campaign=naver-news [핵심 요약] [1] 반도체 공동 연구소, 한 곳도 착공 못해 교육부가 2022년 발표한 반도체 공동 연구소 사업에 선정된 전남대·부산대·경북대·충남대·전북대·강원대 등 6개 국립대가 약 1000억원 규모 예산을 배정받았지만, 사업 발표 3년이 지난 현재까지 착공한 대학이 한 곳도 없는 것으로 드러남.​ [2] 내부 이견·부지 갈등에 일정 줄줄이 연기 연구소 특성화 방향, 예산 규모, 부지 선정 등을 둘러싼 내부 갈등과 행정 절차 지연으로 공사 일정이 계속 미뤄졌으며, 특히 충남대는

삼성전자, 엔비디아 HBM4 퀄테스트 결과 임박 … "속도·전력 모두 양호" (2025년 11월 28일, 뉴데일리경제, 장소희 기자) 원문보기: https://biz.newdaily.co.kr/site/data/html/2025/11/28/2025112800102.html [핵심 요약] [1] 엔비디아향 HBM4 퀄테스트 막바지 삼성전자가 엔비디아와 진행 중인 HBM4 품질 테스트가 마무리 단계에 들어갔으며, 이르면 내달 초 최종 결과가 나올 것으로 전망되는 가운데 업계에서는 속도·전력·신뢰성 평가가 전반적으로 긍정적이라는 분위기가 전해짐.​ [2] 1c D램·4나노 베이스다이로 기술 격차 축소 HBM3E에서 SK하이닉스에 밀렸던 삼성은 1c 공정 기반 D램 완성도와 4나노 로직 공정을 적용한 베이스다이 성능을 높여 HBM4에서 격차를 빠르게 줄였다는 평가를 받으며, 11Gbps 이상 속도와 양호한 전력 효율을 확보한 것으로 알려짐.​ [3]

삼성전자 초저전력 낸드 기술, '네이처'에 게재 (2025년 11월 27일, 한국경제, 박의명 기자) 원문보기: https://www.hankyung.com/article/202511279521i [핵심 요약] [1] 초저전력 낸드 원천 기술 규명 삼성전자가 SAIT와 반도체연구소 공동 연구로 기존 낸드 대비 셀 스트링 동작 전력 소모를 최대 96% 줄일 수 있는 강유전체 트랜지스터 기반 낸드 구조를 제안했고, 관련 논문이 네이처 12월호에 실릴 예정임.​ [2] 강유전체·산화물 반도체 결합 연구진은 강유전체와 산화물 반도체를 결합해 셀당 5비트 수준의 고용량을 유지하면서도 읽기·쓰기 전력을 크게 낮출 수 있는 가능성을 제시, 기존 “용량 늘리면 전력도 증가”라는 한계를 극복할 단서를 마련함.​ [3] AI·데이터센터·모바일 파급 효과 이 기술이 상용화되면 AI 데이터센터의 전력·운영비 절감과 스마트폰·노트북 배터리 사용 시간 증가 등 전력 효율

삼성전자, SAIT '센터→랩' 재전환… AI 조직도 늘린다 (2025년 11월 27일, 파이낸셜뉴스, 임수빈 • 김준석 기자) 원문보기: https://www.fnnews.com/news/202511271039114796 [핵심 요약] [1] SAIT, 센터에서 ‘랩’ 체제로 전환 삼성전자가 DS부문 조직개편에서 선행 R&D 조직인 SAIT를 센터 단위에서 더 작은 ‘랩(lab)’ 단위로 재편해, 소수정예·과제 중심 구조로 전환하고 현업과의 연결성을 강화함.​ [2] 선행연구 인력의 현업 전진배치 전영현 부회장 체제에서 SAIT 연구 인력을 메모리·파운드리 등 사업부로 전진 배치해 논문·기초연구에 머물지 않고 바로 제품·공정 경쟁력으로 이어지도록 하는 전략을 추진하고 있음.​ [3] AI 석학 영입과 AI 랩 부활 양자컴퓨팅·AI 반도체 전문가인 하버드대 박홍근 석좌교수를 SAIT 원장으로 영입하고, AI센터로 이관됐던 AI 리서치 랩을 다시

GPU-HBM 경계 무너진다…차세대 HBM, GPU 코어 내장 (2025년 11월 26일, 전자신문, 박진형 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20251126000215 [핵심 요약] [1] HBM 베이스다이에 GPU 코어 탑재 검토 메타와 엔비디아가 차세대 고대역폭메모리(HBM)의 베이스다이에 GPU 코어를 직접 내장하는 ‘맞춤형 HBM’ 아키텍처를 SK하이닉스·삼성전자와 논의 중임​ [2] 연산 기능을 메모리로 분산 HBM에 GPU 코어를 넣어 연산을 메모리로 일부 이전하면 데이터 이동 거리가 줄어 AI 연산의 지연과 전력 소모를 동시에 줄일 수 있어 속도와 에너지 효율 향상이 기대됨​ [3] HBM4 이후 진화 단계 기술 현재 HBM4는 베이스다이에 메모리 컨트롤러를 탑재하는 수준이지만, GPU 코어 통합은 이보다 몇 단계 앞선 개념으로, 메모리·로직 융합을 본격화하는 시도로 평가됨​ [4] 기술적 난관: 공간·전력