LPDDR6' 시대 성큼…AI·HPC 수요 확대 기대감↑ (2026년 2월 20일, ZDNet Korea, 장경윤 기자) 원문보기: https://zdnet.co.kr/view/?no=20260220100327 [핵심 요약] [1] LPDDR6, 예상보다 빠른 상용화 전망 차세대 저전력 D램(LPDDR6)이 서버·엣지 AI 수요 급증으로 당초 예상보다 빠르게 시장 안착될 전망 [2] 대역폭 10.6~14.4Gbps, LPDDR5X 대비 1.5배 성능 향상 LPDDR6 표준이 지난해 7월 제정됐고, 최대 14.4Gbps 대역폭으로 LPDDR5X(최대 10.7Gbps)보다 1.5배 성능이 높아짐 [3] 삼성·퀄컴, 차세대 AP에 LPDDR6 IP 탑재 계획 삼성전자·퀄컴 등 모바일 AP 설계 기업들이 온디바이스 AI 탑재를 위해 차세대 칩부터 LPDDR6 지원으로 전환 [4] AI·HPC 칩 설계사, LPDDR5X·LPDDR6 병행 채택 검토 고성능

삼성·한화, '하이브리드 본더' 개발 속도…ASML 협력사와도 동맹 (2026년 2월 19일, 한국경제, 강해령 기자) 원문보기: https://www.hankyung.com/article/202602191767i [핵심 요약] [1] 한화세미텍·프로드라이브, 하이브리드 본더 핵심 부품 협력 가동 한화세미텍이 ASML 파트너사인 네덜란드 프로드라이브와 하이브리드 본더 개발 협력 강화, 프로드라이브가 고정밀 모션 드라이브·고주파 RF 증폭 모듈 등 핵심 부품 설계 담당 [2] 세메스, W2W 하이브리드 본더 개발로 삼성 내부 평가 우수 결과 삼성전자 세메스가 웨이퍼-투-웨이퍼(W2W) 하이브리드 본더 개발 중이며, 삼성전자 내부 테스트에서 D2W 본딩 대비 우수한 평가를 받은 것으로 확인됨 [3] 하이브리드 본딩, 범프 없이 칩 결합으로 고성능·얇은 패키징 실현 하이브리드 본딩은 범프 없이 칩 간격을 0에 가깝게 만들어 데이터 전송 속도 향상과 칩

엔비디아 AI가속기 '급 나누기' 가나…HBM4 처리속도에 주목 (2026년 2월 19일, 전자신문, 이형두 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20260219000091 [핵심 요약] [1] 엔비디아, HBM4 듀얼 빈 구조 검토로 고성능 중심 전략 엔비디아가 HBM4 공급 안정성과 성능을 동시에 잡기 위해 듀얼 빈(최상위-차상위 등급 분리) 구조를 검토 중이며, 핵심 제품에 11.7Gbps 이상 최상위 빈을 우선 적용할 가능성 [2] 삼성 HBM4, 11.7Gbps 속도로 기술 우위 확보 삼성 HBM4가 1c(6세대 10나노급) D램과 4나노 베이스 다이를 적용해 11.7Gbps 동작, JEDEC 표준 8Gbps 대비 46% 상회하며 HBM3E(9.6Gbps)보다 1.22배 향상된 성능 [3] 빅테크 메모리 병목 문제 해결이 핵심 과제 빅테크들이 GPU 연산 속도는 빠르지만 메모리 전송 속도가 따라가지 못하는 병목 현

테스, 화합물 반도체 'AIN 에피 공정' 혁신…글로벌 선두 노린다 (2026년 2월 19일, 전자신문, 이형두 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20260219000264 [핵심 요약] [1] 테스, AlN 에피 공정 기술 검증 완료·GaN 에피 양산 준비 테스가 화합물 반도체 에피 장비 시장 진출을 앞두고 AlN 에피 공정 기술 검증을 완료하고 GaN 에피 시스템 양산 준비에 돌입 [2] 수평형 노즐로 가스 균일도 문제 해결 ‘튜블 트리플 페어 노즐’ 기술을 적용해 수평형 노즐 구조와 상·하 독립 제어로 웨이퍼 상 가스 균일도를 확보 [3] 34회 연속 공정 동일 품질 재현성 입증 레시피 수정 없이 34회 연속 공정에도 동일 품질 유지, 예방 정비 후에도 같은 결과로 공정 재현성 우수성 확인 [4] SiC 장비 균일도 1% 미만, 글로벌 수준 상회 SiC 장비에서 8인치 기준 두께 균일도 1% 이하(평균 0.69%)

머스크, 태극기 내걸고 “한국 AI 반도체 인재, 테슬라 오라” (2026년 2월 19일, 서울신문, 장진복 기자) 원문보기: https://www.seoul.co.kr/news/economy/industry/2026/02/19/20260219030006 [핵심 요약] [1] 머스크, 테슬라 X에 태극기 걸고 한국 반도체 인재 직접 공개 채용 일론 머스크가 X에 테슬라코리아 AI 칩 설계 엔지니어 채용 공고를 공유하며 “한국에 있으면서 반도체 설계·제조·소프트웨어 분야에서 일하고 싶다면 테슬라에 합류하라”고 태극기 이모티콘과 함께 직접 호소 [2] 테슬라코리아 채용 공고, 세계 최고 생산량 AI 칩 아키텍처 목표 테슬라코리아가 15일 AI 칩 설계 엔지니어 모집 공고를 올렸고, 이 프로젝트가 세계 최고 생산량을 기록할 AI 칩 아키텍처 개발을 목표로 한다는 점이 강조됨 [3] 특정 국가 지목한 머스크의 직접 공유, 이례적 행보 머스크가 자사 채용

마이크론, 아이다호 공장서 내년 중반 HBM 생산 시작 (2026년 2월 18일, 한국경제, 김채연 기자) 원문보기: https://www.hankyung.com/article/2026021896291 [핵심 요약] [1] 아이다호 신규 팹, 내년 중반 HBM 양산 돌입 마이크론이 미국 아이다호 보이시에 짓는 새 반도체 공장에서 내년 중반부터 HBM을 포함한 D램 생산을 시작하는 일정으로 준비 중임 [2] 총 500억달러 투입, 2개 팹 단계적 가동 아이다호 프로젝트에는 총 500억달러가 투입되며, 두 개 팹 가운데 첫 번째 라인이 내년 중반 우선 가동되고 전체 라인은 2028년 말 완전 가동을 목표로 함 [3] 각 공장, 축구장 10개 규모 대형 생산거점 새로 짓는 두 개 팹의 단일 공장 면적은 각각 약 5만6000㎡로, 축구장 약 10개에 해당하는 규모의 대형 생산거점으로 계획돼 있음 [4] 미국·일본 포함한 2,000억달러 투자 전략의 한