'AI 메모리 병목' 삼성, eSSD로 뚫었다 (2026년 1월 16일, 머니투데이, 김남이 기자) 원문보기: https://www.mt.co.kr/industry/2026/01/16/2026011520104080818 [핵심 요약] [1] AI 메모리 병목 현상 극복 삼성전자가 AI 서버의 고속 메모리 병목 문제를 해결하기 위해 eSSD(엔터프라이즈 SSD)를 핵심 솔루션으로 제시하며 AI 인프라 경쟁력 강화. [2] HBM 한계 보완하는 eSSD 역할 HBM의 높은 가격과 공급 부족으로 인한 AI 메모리 병목을 eSSD의 고속·대용량 저장으로 보완하며 경제적 대안 제시. [3] AI 서버용 최적화 솔루션 삼성 eSSD가 AI 학습·추론 워크로드에 최적화된 성능으로 데이터 처리 속도 향상과 TCO(총소유비용) 절감 효과 제공. [4] 고속 NVMe 프로토콜 적용 PCIe 5.0 기반 NVMe 프로토콜을 탑재한 eSSD로 AI 서버의 대용량 데이

엔비디아, HBM4 품질 기준 높였다… 삼성전자·하이닉스 성능 개선 나서 (2026년 1월 16일, 조선일보, 황민규 • 전병수 기자) 원문보기: https://www.chosun.com/economy/tech_it/2026/01/16/BP2AZHVAEJDWJATYIEM2U5FXLE/ [핵심 요약] [1] 엔비디아 HBM4 기준 대폭 강화 엔비디아가 차세대 AI GPU용 HBM4 메모리에 대한 품질 및 성능 기준을 크게 높여 공급사들에 높은 기술 장벽 제시. [2] 삼성전자 HBM4 성능 개선 급물살 삼성전자가 엔비디아의 강화된 HBM4 기준에 맞춰 성능 개선 작업 가속화하며 시장 공급 확대를 위한 기술 개발 집중. [3] SK하이닉스도 HBM4 경쟁력 강화 SK하이닉스가 HBM4 개발에 박차를 가하며 엔비디아 인증 획득을 목표로 성능 최적화와 수율 개선 동시 추진. [4] 차세대 AI GPU 공급 경쟁 심화 엔비디아의 까다로운 HBM4 기준이

TSMC, 2나노 본격 양산 vs 삼성전자, '수율 향상' 맹추격 (2026년 1월 15일, ZDNet Korea, 장경윤 기자) 원문보기: https://zdnet.co.kr/view/?no=20260115153150 [핵심 요약] [1] TSMC 2나노 양산 본격화 TSMC가 지난해 4분기부터 2나노(N2) 공정 대량 생산에 진입했으며 올해 빠른 양산 본격화를 계획하고 있으며 2나노 공정의 수율이 80% 이상으로 평가. [2] 차세대 공정 라인업 준비 N2P 공정은 올 하반기, BSPDN 기술 적용 16A(1.6나노미터) 공정도 올 하반기 양산 개시 계획으로 차세대 기술 준비 가속화. [3] TSMC 파운드리 시장 과점 지속 지난해 4분기 TSMC 전체 매출에서 3나노 공정이 28% 점유하며 역대 최고치 기록하고 올해도 최첨단 파운드리 시장 독점 계속. [4] 삼성전자 2나노 수율 개선 1세대 2나노(SF2) 공정 기반 엑시노스2600 양산으

中세관, 엔비디아 H200 통관 금지 지시…정상회담 앞두고 협상카드 될까 (2026년 1월 15일, 동아일보, 김철중 기자) 원문보기: https://www.donga.com/news/Inter/article/all/20260115/133164418/1 [핵심 요약] [1] H200 통관 금지 지시 발동 중국 세관이 최근 직원들에게 엔비디아 H200 칩 통관을 금지하라는 지시를 전달했으며 관계자는 "현재로선 금수조치나 다름없다"고 평가. [2] 사전 주문 물량 규모 중국 기업들이 이미 200만 개 이상의 H200을 주문한 것으로 알려졌으며 개당 가격은 약 2만7000달러(4000만원) 수준으로 막대한 거래액 규모. [3] 통관 금지 세부 사항 미공개 중국 당국이 통관 금지 조치가 기주문 물량에도 적용되는지, 조치 유효 기간 등 구체적인 세부 내용을 공개하지 않으며 불확실성 고조. [4] 트럼프 방중을 앞둔 협상카드 활용 4월 트럼프 미국 대통령

SK하이닉스, 한미반도체·한화세미텍에 TC본더 발주 (2026년 1월 14일, 전자신문, 박진형 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20260114000302 [핵심 요약] [1] TC본더 추가 발주 결정 SK하이닉스가 한미반도체와 96억5000만원 규모 TC본더 공급계약 체결하고 한화세미텍에도 발주하며 HBM 생산능력 확대 추진. [2] 장비 투자 규모 확대 TC본더 가격을 고려했을 때 한미반도체 계약은 3~4대 규모로 추정되며 연초부터 HBM 제조장비 발주 본격화. [3] 기존 팹 설비 강화 발주한 물량은 신규 HBM 전용 팹 청주 M15X가 아닌 기존 팹에 설치되는 방식으로 현 생산능력 보강에 집중. [4] HBM 수요 폭증 대응 지난해 클린룸 제약으로 제한적이던 투자가 올해부터 본격화되며 폭증한 HBM 수요에 대응하기 위한 선제적 투자 전략. [5] HBM4 양산 준비 현재 5세대 HBM3E 생산 중에서 올해 차세대

'中 공장 업그레이드'…SK하이닉스, 우시 1a D램 전환 완료 (2026년 1월 14일, 전자신문, 이호길 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20260114000274 [핵심 요약] [1] 우시 팹 공정 전환 완료 SK하이닉스가 중국 우시 공장의 D램 공정을 기존 1z(10나노미터대 3세대)에서 1a(4세대)로 전환 완료하며 월 18만~19만장 생산능력의 약 90%가 1a 공정으로 전환. [2] 글로벌 생산 기반 강화 우시 팹이 SK하이닉스 전체 D램 생산량의 30~40%를 담당하는 핵심 생산 거점으로 공정 전환으로 성능 우수한 D램 생산 가능. [3] EUV 공정 규제 우회 미국의 대중 EUV 장비 수출 규제로 인해 한국에서 극자외선 공정을 진행하고 나머지 작업을 우시에서 마무리하는 분할 공정 방식 도입. [4] 2년 만에 공정 전환 2024년 1월 공정 전환 계획 발표 후 2년 만에 완료하며 미국 규제 속에서도 생산