삼성 HBM 생산능력, 하이닉스 첫 추월 (2025년 12월 1일, 서울경제, 서종갑 기자) 원문보기: https://www.sedaily.com/NewsView/2H1K9E8DYI [핵심 요약] [1] 삼성, HBM 생산량 1위 탈환 삼성전자의 HBM 웨이퍼 투입량이 월 17만 장 수준으로 늘어나 SK하이닉스(16만 장)를 처음으로 앞서며 HBM 생산능력 1위에 올랐다는 분석이 제기됨.​ [2] 라인 전환·조직 쇄신 효과 범용 D램 라인을 선제적으로 HBM용 1c D램 라인으로 전환하고, 전영현 부회장 취임 후 HBM 개발팀·AVP 사업팀 재편 등 조직 개편을 단행한 것이 수율 안정과 물량 확대에 기여한 것으로 평가됨.​ [3] 설비 투자와 P5까지 동원한 증설 평택 P3·P4 라인을 HBM 중심으로 전환·증설하고, 평택 5공장(P5) 골조 공사도 추진하며 메모리 슈퍼사이클 대응을 위한 생산능력 확대에 속도를 내는 중임.​ [4] SK하이닉스,

삼성전자 평택 5공장 구축 '속도'…가스·화학 설비 구축 착수 (2025년 11월 30일, 전자신문, 권동준 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20251130000072 [핵심 요약] [1] P5 공장, 핵심 설비 입찰 착수 삼성전자가 평택 P5 반도체 공장에 대해 가스·화학물질 공급 설비 경쟁 입찰을 준비하며 핵심 유틸리티 구축 단계에 들어갔고, 이는 임시 경영위원회에서 골조 공사 재개를 결정한 직후 바로 추진되는 것임.​ [2] 패스트트랙으로 가동 시점 앞당길 가능성 가스·화학 설비를 골조 공사와 동시에 진행하는 패스트트랙 방식이 적용되면서, 당초 목표였던 2028년보다 P5 가동 시점이 빨라질 수 있다는 관측이 나오며, AI 확산에 따른 반도체 수요 급증에 대응하기 위한 행보로 해석됨.​ [3] 대형 가스·화학 업체들 수주 경쟁 린데, 에어리퀴드, 한양기공(머크), 원익홀딩스, 한양이엔지, 에스티아이 등 국내외 주요

삼성 파운드리 내년 2나노 생산능력↑…TSMC와 격차 좁힐 것 (2025년 11월 20일, 연합뉴스, 강태우 기자) 원문보기: https://www.yna.co.kr/view/AKR20251120147600003?input=1195m [핵심 요약] [1] 2나노 공정 양산 준비 가속 삼성전자가 내년부터 2나노미터(㎚) 파운드리 공정 생산능력을 대폭 확대하며 첨단 반도체 생산 경쟁에서 TSMC와의 격차를 빠르게 좁혀가는 모습임 [2] 공장 신증설 및 생산라인 투자 삼성은 평택캠퍼스를 비롯한 주요 파운드리 생산라인에 대규모 설비 투자를 단행, 차세대 초미세 반도체 양산체계 구축에 집중함 [3] 글로벌 파운드리 시장 변화 TSMC가 2나노 양산에 앞서 선도적 입지를 갖추고 있지만, 삼성 역시 내년부터 2나노 생산능력 확대와 주요 고객사 확보를 통해 점유율 증가가 기대됨 [4] 고객사 확보 및 경쟁력 강화 삼성은 미국·유럽 주요 팹리스, 시스템 반도체

닛산, 반도체 칩 공급 차질로 규슈 공장 또 감산 (2025년 11월 19일, 지디넷코리아, 류은주 기자) 원문보기 : https://zdnet.co.kr/view/?no=20251119084717 [핵심 요약] [1] 중국계 넥스페리아발 공급난 닛산이 중국계 반도체 업체 넥스페리아와 관련된 공급 차질로 인해 규슈 공장의 차량 생산을 추가로 1,400대 감축하기로 한 상황임 [2] 반복되는 감산 조정 이번 조치는 지난주 900대 감산에 이어지는 결정이면서 미니밴 세레나와 로그(엑스트레일) SUV 등 주요 차량이 감산 대상에 포함됨 [3] 계획 유동성 및 회복 방침 공급망 안정과 대체 부품 확보에 따라 생산 계획은 변경될 수 있으며, 닛산 측은 고객 인도 지연을 최소화하겠다는 입장임 [4] 글로벌 자동차업계 칩 부족 영향 넥스페리아 칩 부족으로 최근 일본 완성차업체 대부분이 생산 지연을 겪는 상황에서, 일부(혼다 등)는 공급선 확보에 성공해 정상

삼성전자, 1c D램 확 키운다…내년 월 20만장 확보 (2025년 11월 18일, 전자신문, 권동준 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20251118000324 [핵심 요약] [1] 1c D램 대규모 생산능력 확보 삼성전자가 10나노미터급 6세대 D램(1c D램) 생산라인을 확장해, 내년 말까지 월 20만장 수준의 웨이퍼 투입을 목표로 생산능력을 확대할 계획을 수립함 [2] 생산확대 구체 계획 올해 연말까지 월 6만장, 내년 2분기까지 8만장 추가, 4분기에 6만장 추가라는 세부 로드맵을 마련하고, 신·증설 라인 구축 및 기존 라인 전환을 추진함 [3] 공급선점 전략과 시장관측 차세대 D램 수요 증가 및 품귀 현상이 지속되는 가운데, 삼성은 1c D램을 대량 양산해 시장을 선점하려는 전략을 꾀함 [4] 전체 D램 생산량 내 비중 월 20만장 규모는 삼성전체 D램 생산능력의 약 3분의 1 수준이며, 기존 투자 규모를 크게

발빠른 TSMC, 1.4나노 공장 건설 돌입 (2025년 11월 17일, 아시아경제, 장희준 기자) 원문보기: https://view.asiae.co.kr/article/2025111410271881404 [핵심 요약] [1] TSMC, 1.4나노 신규 공장 착공 세계 최대 파운드리 기업 TSMC가 대만 중부과학단지에 1.4㎚ 공정을 적용한 신규 공장 건설에 돌입, 2028년 양산 목표. [2] 대규모 투자와 매출 전망 투자 규모는 약 70조원에 달하며, 가동 시 연간 약 24조원의 매출이 예상됨. [3] 첨단 공정 및 생산량 최신 1.4㎚ 공정을 도입한 ‘Fab 25’ 프로젝트에서 4개의 웨이퍼 팹이 건설되고, 초기 월 5만장 생산능력을 목표로 함. [4] 지정학적 리스크 및 공급망 동향 미국은 지정학적 이유로 2㎚ 공정 확보를 요구 중이며, 대만 내 과학단지 확장과 함께 반도체 공급망 업체 입주도 촉진되고 있음. [5] 반도체 클러스터 성장