SK하이닉스, 미 샌디스크와 차세대 메모리 'HBF' 글로벌 표준화 착수 (2026년 2월 26일, 조선일보, 유지한 기자) 원문보기: https://www.chosun.com/economy/tech_it/2026/02/26/CLEJIACCBNH4ZFEFYK4CQ7XUOI/?utm_source=naver&utm_medium=referral&utm_campaign=naver-news [핵심 요약] [1] HBF 컨소시엄 공식 출범 SK하이닉스와 웨스턴디지털 산하 샌디스크, 25일 HBF 스펙 표준화 컨소시엄 킥오프 미팅 개최, HBM(D램 적층) 후속 낸드플래시 적층 메모리 개발 본격화. [2] AI 학습→추론 전환 대응 메모리 AI 워크로드 학습 단계 HBM 고성능→추론 단계 SSD 대용량 공백 보완, HBF로 대용량 데이터 처리와 전력 효율 동시 확보 목표. [3] HBM·낸드 기술 시너지 활용 SK하이닉스 HBM 적층·고대역폭 설계 기술과 샌디

“TSMC 병목 현상 틈새 노린다”…인텔, ‘하이-NA EUV’ 기반 1.4나노 PDK 배포 (2026년 2월 25일, 디지털데일리, 김문기 기자) 원문보기: https://www.ddaily.co.kr/page/view/2026022509353348586 [핵심 요약] [1] 인텔 1.4나노 14A PDK 0.5 배포 시작 인텔, 1.4nm '인텔 14A' 공정 PDK 배포로 상용화 준비, 팹리스 고객 설계 가이드 제공하며 TSMC 추격.​ [2] 하이-NA EUV 장비 업계 최초 도입 ASML 하이-NA EUV 오리건 D1X 팹 설치·인수 테스트 완료, 해상도 개선·공정 단계 축소로 성능·수율 동시 확보 목표.​ [3] TSMC 병목 틈새 공략 TSMC 2나노 이하 캡파 부족 속 엔비디아·브로드컴 대형 고객 유치, 애플 보급형 아이폰 칩셋 수주 가능성 제기.​ [4] 2027 하반기 양산 목표 립부 탄 CEO "14A 기술 우위 재확립·대형

자동차에도 AI MCU 탑재된다…ST, 업계 최초 개발 (2026년 2월 24일, 전자신문, 권동준 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20260224000226 [핵심 요약] [1] ST, AI 탑재 차량용 MCU 최초 개발 ST마이크로일렉트로닉스, AI 연산 가능한 자동차용 MCU '스텔라 P3E' 출시, 주요국 OEM에 시제품 공급 중·하반기 대량생산. [2] NPU 탑재로 신호 처리·안정성 향상 MCU에 신경망처리장치(NPU) 첫 탑재, 신호 빠르게 처리해 차량 안정성 높이고 전력 효율 극대화, 창문 물체 감지 69배·완전 닫힘 인식 16배 빨라짐. [3] 상변화 메모리(PCM) 적용 자동차 환경 메모리 확장성 강화, SW 생태계 지원으로 고객 AI 모델 개발 용이. [4] SDV 시장 공략 강화 소프트웨어정의차량(SDV) 정조준, 안전·전기차·친환경 요구 대응하며 자동차 MCU 포트폴리오 확대. [5] 시장 1위

퀄컴도 韓개발자 채용 나섰다…"3D D램 선점" (2026년 2월 23일, 한국경제, 강해령 기자) 원문보기: https://www.hankyung.com/article/2026022392051 [핵심 요약] [1] 퀄컴 3D D램 경력직 채용 시작 퀄컴 최근 한국에서 '3D D램 아키텍트' 개발 인력 모집, 3D D램 구조 평가·최적화 담당하며 '메모리 센트릭' 컴퓨팅 설계 인력 원함. [2] 차세대 메모리 3D D램 특징 기억 소자를 수직으로 쌓아 기존 제품 대비 용량 대폭 증가, 퀄컴 주력 모바일 칩·확장현실(XR) 생태계 활용 시사 및 2.5D·3D 패키징 경력자 우대. [3] 프로세서 주변 배치·적층 준비 3D D램을 연산 장치(프로세서) 주변 배치하거나 바로 위에 쌓는 방안 검토, 3D D램 시대 본격 대응 움직임. [4] 한국 반도체 인재 활용 포석 삼성전자·SK하이닉스 등 세계적 메모리 회사 있는 한국에서 채용, 3D D램 '게임

LPDDR6' 시대 성큼…AI·HPC 수요 확대 기대감↑ (2026년 2월 20일, ZDNet Korea, 장경윤 기자) 원문보기: https://zdnet.co.kr/view/?no=20260220100327 [핵심 요약] [1] LPDDR6, 예상보다 빠른 상용화 전망 차세대 저전력 D램(LPDDR6)이 서버·엣지 AI 수요 급증으로 당초 예상보다 빠르게 시장 안착될 전망 [2] 대역폭 10.6~14.4Gbps, LPDDR5X 대비 1.5배 성능 향상 LPDDR6 표준이 지난해 7월 제정됐고, 최대 14.4Gbps 대역폭으로 LPDDR5X(최대 10.7Gbps)보다 1.5배 성능이 높아짐 [3] 삼성·퀄컴, 차세대 AP에 LPDDR6 IP 탑재 계획 삼성전자·퀄컴 등 모바일 AP 설계 기업들이 온디바이스 AI 탑재를 위해 차세대 칩부터 LPDDR6 지원으로 전환 [4] AI·HPC 칩 설계사, LPDDR5X·LPDDR6 병행 채택 검토 고성능

엔비디아 AI가속기 '급 나누기' 가나…HBM4 처리속도에 주목 (2026년 2월 19일, 전자신문, 이형두 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20260219000091 [핵심 요약] [1] 엔비디아, HBM4 듀얼 빈 구조 검토로 고성능 중심 전략 엔비디아가 HBM4 공급 안정성과 성능을 동시에 잡기 위해 듀얼 빈(최상위-차상위 등급 분리) 구조를 검토 중이며, 핵심 제품에 11.7Gbps 이상 최상위 빈을 우선 적용할 가능성 [2] 삼성 HBM4, 11.7Gbps 속도로 기술 우위 확보 삼성 HBM4가 1c(6세대 10나노급) D램과 4나노 베이스 다이를 적용해 11.7Gbps 동작, JEDEC 표준 8Gbps 대비 46% 상회하며 HBM3E(9.6Gbps)보다 1.22배 향상된 성능 [3] 빅테크 메모리 병목 문제 해결이 핵심 과제 빅테크들이 GPU 연산 속도는 빠르지만 메모리 전송 속도가 따라가지 못하는 병목 현